Реферат: Разработка устройства Видеопорт

погонная задержка при передаче сигнала в вакууме.

LCmax = 0,13 м – максимальная длина сигнального проводника.

Μ = 1 – относительная магнитная проницаемость основания платы.

 , где

ε0СТ = 6 – диэлектрическая проницаемость основания платы.

ΕЛ = 4 – диэлектрическая проницаемость лака УР-231.

Тип линий связи на плате

, где

lКР – критическая длина линии связи.

TЗД0,1 = 15 нс – время задержки сигнала при переключении из логического нуля  в логическую единицу.

Т.к. полученное значение критической длины линии связи удовлетворяет условию 0,25lКР ≥ lCmax, то все линии связи на плате можно считать короткими.

Допустимое значение паразитной емкости между печатными проводниками

СДОП = СПОГ* lmax , где

СПОГ – погонная емкость между двумя проводниками.

СПОГ = КП*ε, где

КП ≈ 10 пФ/м – коэффициент пропорциональности, выбирается по графику

ОСТ 4.ГО.10.009

СПОГ1 = КП* εЭФФ = 10пФ/м * 5 = 50 пФ/м – для проводников, расположенных на одной стороне печатной платы.

СДОП1 = СПОГ1* lmax = 50 пФ/м * 0,15 м ≈ 7,5 пФ

СПОГ2 = КП* ε0СТ = 10пФ/м * 6 = 60 пФ/м – для проводников, расположенных на разных сторонах печатной платы.

СДОП2 = СПОГ2* lmax’ = 60 пФ/м * 0,05 м = 3 пФ

Для К555,К537 серии значение допустимой паразитной емкости между двумя соседними проводниками при ложном срабатывании СДОП = 25 пФ, что значительно превышает оба рассчитанных значения.

Максимально допустимая длина параллельных проводников при учете только емкостной паразитной связи между ними

При разводке максимальная длина параллельных проводников на плате не превышает 90 мм, что меньше расчитанной максимально допустимой длины.

Удельное падение импульсного напряжения

, где

LПОГ = 1,8 мкГн / м – погонная индуктивность печатного проводника для          

 t = 0,25 мм.

∆I = 7,6 мА – перепад выходного тока при переключения логического элемента К555 серии.

минимальная длительность импульса сигнала.

FП =16 МГц – максимальная частота переключения микросхем.

Максимальная длина одиночного проводника

, где

UПОМ = 0,4 В – максимальная допустимая амплитуда помехи.

Реальная длина одиночных проводников на печатной плате существенно меньше полученного значения.

Максимальная индуктивность сигнального проводника

L = LПОГ* lCmax = 1,8 мкГн/м * 0,13 м = 0,26 мкГн

Максимально допустимая длина параллельных проводников при учете только индуктивной паразитной связи между ними

Для допустимой длины параллельных проводников lДОП.M = 150 мм при учете только индуктивной паразитной связи должны выполняться следующие условия:

а) плата без экранирующей плоскости

б) плата с экранирующей плоскостью

tЗД.СР. = 0,03 мкс – среднее время задержки распространения сигнала для К555 серии.

U0 = 0,4 В – напряжение логического нуля для К555 серии.

KЗАП = 1 – коэффициент запаса.

А)

б)

Оба условия выполняются с большим запасом.

Проверочные расчеты и расчеты помехоустойчивости проводились в соответствии с ОСТ 4.ГО.010.009.

6.    Обоснование технических требований в чертежах.

Для пайки деталей используем припой ПОС-61 ГОСТ 21931-76 – оловянно-свинцовый. Припой по своим характеристикам должен соответствовать ГОСТу. Паять необходимо по отраслевому стандарту для исключения выхода бракованных изделий.

Лаком УР-231 покрываем плату для защиты изделия от пыли и влаги.

Обоснование метода изготовления платы описанно в пункте 3.6.

Шаг координатной сетки 1.25 мм выбран в соответствии с 3-им классом точности печатного монтажа (пункт 3.2)

Для удобства линии координатной сетки нанесены через 1.

Установку элементов производить по ОСТ 4.ГО.010.030.

7.    Оценка технологичности конструкции.

Определим некоторые показатели технологичности, характеризующие технологию изготовления изделия:

Основным показателем, используемым для оценки технологичности конструкции, является комплексный показатель технологичности К. Комплексный показатель определяется на основе семи базовых показателей технологичнсти [3, с. 169] по формуле

КИМС, КАМ, КМПЭ, КМКН, КПОВЭ, КПРЭ, КФ – базовые показатели технологичности, расчитываемые далее.

Φ1 … φ7 – функции, нормирующие весовую значимость базовых показателей.

Коэффициент использования ИМС в блоке

, где

nИМС = 24– число ИМС в блоке.

NЭРЭ  = 39 – число электрорадиоэлементов.

Коэффициент автоматизации и механизации монтажа

, где

nАМ – число монтажных соединений, которые могут осуществляться механизированным или автоматизированным способом.

NМ – общее число монтажных соединений.

КАМ = 1

Коэффициент механизации подготовки элементов к монтажу

, где

nМП = 63 – число элементов, подготовка которых к монтажу может осуществляться механизированным или автоматизированным способом.

NЭ = 63 – общее число элементов.

Коэффициент механизации операций контроля и настройки

, где

nМКН – число операций контроля и настройки, осуществляемых автоматизированным или механизированным способом, включая и те, которые не требуют использования средств механизации.

NКН – общее число операций контроля и настройки.

КМКН = 1, т.к. модуль не требует операций контроля и настройки.

Коэффициент повторяемости элементов

, где

nТЭ = 12– общее число типоразмеров элементов в блоке.

Коэффициент применяемости элементов

, где

nТ.ОР.Э = 0 – число типоразмеров оригинальных элементов в блоке, т.е. деталей, которые впервые разрабатываются самим предприятием.

Коэффициент прогрессивности формообразования деталей

, где

nПР – число деталей, заготовки которых или сами детали получены прогрессивными методами формообразования (штамповка, прессование, пайка, сварка).

NД – общее число деталей без нормализованного крепежа в изделии.

КФ = 1

Значимости весовых коэффициентов показателей К

φ1 = 1,0;          φ2 = 1,0;          φ3 = 0,75;        φ4 = 0,5;         

φ5 = 0,31;        φ6 = 0,187;      φ7 = 0,11

Таблица нормативов комплексных показателей технологичности

электронно-вычислительной техники:

Для условий мелкосерийного производства изделие обладает высокой технологичностью.

Так же существуют следующие коэффициенты, не вошедшие в вышеприведенную формулу

1)    Коэффициент повторяемости электрорадиоэлементов в изделии:

Кпэ = ( 1 + Nт ) / Nэрэ,

где

             Nт = 12 – число типоразмеров ЭРЭ в изделии,

             Nэрэ = 39 – число ЭРЭ в изделии.

Кпэ = ( 1 + 12 ) / 39 = 0.33  т.е. хорошая повторяемость.

2)    Коэффициент применяемости печатного монтажа:

Кп = Nкпг / Nкп,

где

             Nкпг – число контактных площадок, паянных групповым методом,

             Nкп – общее число контактных площадок.

Т.к.  Nкпг = Nкп, то Кп = 1  (серийное производство)

3)    Коэффициент повторяемости ИС:

Кповт.ис = 1 – Nт.ис / Nис,

где

             Nт.ис = 5 – число типоразмеров ИС в изделии,

Nис = 24 – число ИС в изделии.

Кповт.ис = 1 – 5 / 24 = 0.79 (высокая повторяемость)

4)    Коэффициент установочных размеров:

Кур = 1 – Nур / Nэрэ,

где

             Nэрэ = 13 – число ЭРЭ в изделии,

             Nур = 4 – число различных установочных размеров.

Кур = 1 – 4 / 13 = 0.61 (малая разница установочных размеров)

Исходя из найденных выше коэффициентов, видно, что конструкция технологична.

8.    Тепловой расчет

Тепловые режимы радиоэлектронной аппаратуры в значительной степени определяют ее надежность. Микро миниатюризация радиоэлектронной аппаратуры привела к значительному увеличению удельных тепловых нагрузок. С позиции теплофизики радиоэлектронный аппарат представляет собой систему тел, которые сложным образом распределены в пространстве и являются источниками и стоками энергии.

Прежде чем приступить к выбору системы охлаждения проанализируем условия эксплуатации проектируемого изделия. Электронный контроллер должен работать в помещениях с нормальными климатическими условиями. Роль корпуса осуществляет пласмассовая конструкция с зазорами. Перенос тепла осуществляется в основном за счет конвекции. Общую мощность, выделяемую контроллером можно подсчитать, просуммировав выделяемые мощности каждого компонента.

Таблица потребления микросхем:

Общая мощность, выделяемая устройством .

Общее количество микросхем .

Исходные данные для расчета

1.    Геометрические параметры корпуса .

2.    Геометрические параметры платы .

3.    Мощность, выделяемая источниками тепла .

4.    Средняя мощность одного источника

5.    Коэффициент теплопроводности стеклотекстолита основания печатной платы .

6.    Давление окружающей среды .

7.    Давление воздуха внутри блока .

8.    Температура эксплуатации .

Исходными данными для расчета служат значения следующих параметров:

            - базовая температура - То = 293 К,

            - мощность выделяющаяся в микросхеме - Qэi , Вт -

Qэ1 = 0.005     Qэ2 = 0.005     Qэ3 =0.005      Qэ4 = 0.156     Qэ5 = 0.156    

Qэ6 =0.156      Qэ7 =0.156      Qэ8 = 0.156     Qэ9 = 0.019     Qэ10 = 0.019

Qэ11 = 0.05      Qэ12 = 0.05      Qэ13 =0.022     Qэ14 =0.033     Qэ15 =0.033

Qэ16 =0.033     Qэ17 =0.044     Qэ18 =0.044     Qэ19 =0.044     Qэ20 =0.12

Qэ21 =0.125     Qэ22 =0.125     Qэ23 =0.125

            - размеры корпуса блока без учета теплоотводящих ребер -

            Lкх = 0.12 м,  Lкy = 0.14 м,  Lкz = 0,02 м,

-      общая площадь внешней поверхности блока - Sк = 0.044 м2,

-      площадь основания микросхемы -  Sэоi , 10-6  м2

Sэ1 =444          Sэ2 =444          Sэ3 =444          Sэ4 =161,25     Sэ5 =161,25

Sэ6 =161,25     Sэ7 =161,25     Sэ8 =161,25     Sэ9 =146,25     Sэ10 =146,25

Sэ11 =161,5     Sэ12 =161,25   Sэ13 =146,25   Sэ14 =146,25   Sэ15=146,25

Sэ16=146,25    Sэ17=146,25    Sэ18=146,25    Sэ19=360         Sэ20= 187,5

Sэ21=187,5      Sэ22=187,5      Sэ23=187,5

-      суммарная площадь поверхности микросхемы  - Sэi, 10-6  м2

Sэo1 =1784      Sэo2 =1784      Sэo3 = 1784     Sэo4 =612,5     Sэo5 =612,5

Sэo6 =612,5     Sэo7 =612,5     Sэo8 =612,5     Sэo9 =562,5     Sэo10 =562,5

Sэo11 =612,5   Sэo12 =612,5   Sэo13 =562,5   Sэo14 =562,5   Sэo15 =562,5

Sэo16 =562,5   Sэo17 =562,5   Sэo18 =562,5   Sэo19 =1082    Sэo20 =700

Sэo21 =700      Sэo22 =700      Sэo23 =700     

            - размеры печатной платы  - lx = 0.11 м, ly = 0.13 м,

            - коэффициент перфорации корпуса блока - Кп = 1,

            - толщина печатной платы - dп = 0.0015мм,

            - зазор между основанием микросхемы и печатной платой - dз = 0.001 м,

- коэффициент теплопроводности диэлектрического основания платы - стеклотекстолита - l1 = 0.372 Вт/м*К,

- коэффициент теплопроводности материала, заполняющего  зазор между микросхемой и печатной платой - воздух - ls = 0.02442 Вт/м*К,

            - объем печатной платы - Vп = 10*10-6  м3,

            - шаг установки микросхем на печатной плате- tx = 0.025м, ty = 0.017м,

            - давление окружающей среды и давление внутри блока - Н1 = Н2 = 0.1 МПа,

- мощность выделяющаяся в блоке - Qб = 1,784 Вт.

Определяют удельную мощность корпуса блока - qк -

                        qк = Qб / Sк = 44.54  Вт/м2,

Определяют перегрев корпуса блока - Qк -

                        Qк = Qко * Ккп * Кн1,

где       Qко - перегрев корпуса герметичного блока при давлении окружающей среды 0.1 Мпа

                        Qко = 0.1472 * qк - 0.2962 * 10-3 * qк2 + 0.3127 * 10-6 * qк3,

Ккп -коэффициент учитывающий перфорацию корпуса блока, при  Ккп = 1,

Кн1 - коэффициент учитывающий давление окружающей cреды, при H1 = 1 МПа, Кн1 = 1.2,

                        Получим - Qк = 5.28 К.

Определяют удельную мощность нагретой зоны блока - qз -

                                                Qб

qз =                                                                     = 0.066 Вт/ м2

            2*(Lкх*Lку+(1/Lкх+1/Lку)*lк*lу*lz)

Определяют среднеобъемный перегрев нагретой зоны блока - Qз -

                        Qз = Qк + ( Qзо - Qко ) * Ккп * Кн2,

            где       Qзо  - среднеобъемный перегрев нагретой зоны блока в герметичном корпусе при давлении воздуха внутри блока 0.1 Мпа,

                        Qзо = 0.139 * qз - 0.1223 * 10-3 * qз2 + 0.0698 * 10-6 * qз3,

                        Кн2 - коэффициент учитывающий давление воздуха внутри блока, при Н2 = 0.1 МПа, Кн2 = 1.

          Получим - Qз = 2.97 К.      

Определяют среднеобемный перегрев воздуха внутри блока - Qв -

                        Qв = ( Qз + Qк ) / 2 = 4.12 К.

Определяют тепловую проводимость от микросхемы к корпусу блока через воздух внутри блока - бк -

            где Ка - коэффициент, учитывающий теплоотдачу от корпуса микросхемы, Вт/м2*К,

                        Ка = 23.54 / ( 4.317 + lg ( Sэi ) ),

            Получим тепловую проводимость для микросхем, Вт*м2-

            бк1 =0.01941  бк2 =0.01941  бк3 =0.01941  бк4 =0.00946  бк5 =0.00946

бк6 =0.00937  бк7 =0.00946  бк8 =0.00946  бк9 =0.00903  бк10 =0.00903

бк11=0.00937 бк12=0.00946 бк13=0.00903 бк14 =0.00903 бк15=0.00903

бк16=0.00903 бк17=0.00903 бк18=0.00903 бк19=0.01230 бк20= 0.01019                       

бк20=0.01019 бк20=0.01019 бк20=0.01019

Определяют параметр - m -

Определяют эквивалентный радиус микросхемы - Ri -

R=  Sэ/п

            Для каждой микросхемы получим, м -

R1 = 0.01189  R2 = 0.01189 R3 = 0.01189 R4 = 0.00716 R5 = 0.00716  

R6 = 0.00725  R7 = 0.00716 R8 = 0.00716 R9 = 0.00682 R10 = 0.00682

R11 = 0.00725 R12 = 0.00716 R13 = 0.00682 R14 = 0.00682 R15 = 0.00682  

R16 = 0.00682 R17 = 0.00682 R18 = 0.00682 R19 = 0.01070 R20 = 0.00772

R21 = 0.00772 R22 = 0.00772 R23 = 0.00772

Определяют собственный перегрев корпуса микросхемы - Qэс -

                        Qэс = К * Qэ / ( a + 1 / ( c + 1 / ( b + d ) ) ) ,

            где       K - эмпирический коэффициент. Рекомендуется принимать

К = 1.14 для микросхем, центр которых отстоит от торцов печатной платы на расстоянии меньше 3R, К = 1 для микросхем, центр которых отстоит от торцов на расстоянии больше 3R.

                        a, b, c, d - обозначения, принятые для упрощенной записи формулы -                                                                     ________  

                        a = ( ( Ка - 4 ) * Ö Н2 / 105 + 4 ) * ( Sэ - Sэо ) ,  

                                            ________                                               

                        b = ( 4.5 * Ö Н2 / 105 + 4 ) * p * R*R,

                        с = dз / ( lз * p * R * R ),

                        d = 2* p * R * l1 * dп * m * ( К1 (m*R) / К0 (m*R) ),

            где       К0 (m*R) и К1 (m*R) - модифицированные функции Бесселя второго рода нулевого и первого порядка.

Проведя расчеты, получим для каждой микросхемы - Qэс , К -

Qэс1 = 0.19272   Qэс2 = 0.19272   Qэс3 = 0.19272  Qэс4 = 12.81684  Qэс5 = 12.81684

Qэс6 = 12.84973  Qэс7 = 12.81684  Qэс8 = 12.81684 Qэс9 =1.64644   Qэс10 =1.64644

Qэс11 = 4.11850   Qэс12 = 4.10796   Qэс13 =2.85961   Qэс14 =2.85961   Qэс15 =2.85961 

Qэс16 = 38.12818 Qэс17 = 38.12818  Qэс18 = 38.12818   Qэс19 = 6.85716   Qэс20 = 9.40903

 Qэс21 = 9.40903   Qэс22 = 9.40903   Qэс23 = 9.40903

Определяют предельный радиус взаимного теплового влияния- Rпр-

                                                                                    1

            Rпр =                                                                                                              ,

                                                              K0 (m*R) + 4 * K0 (2.7*m*R)

                        m * ( 0.105 * m *                                                            + 0.155 )     

                                                                              1 / tx  +  1 / ty      

Получим для каждой микросхемы - Rпр , м -

Rпр1 = 0.03694 Rпр2 = 0.03694 Rпр3 = 0.03694 Rпр4 = 0.03689 Rпр5 = 0.03689 

Rпр6 = 0.03689 Rпр7 = 0.03689 Rпр8 = 0.03689 Rпр9 = 0.03688 Rпр10 = 0.03688

Rпр11 = 0.03689 Rпр12 = 0.03689 Rпр13 = 0.03688 Rпр14 = 0.03688 Rпр15 = 0.03688

Rпр16 = 0.03688  Rпр17 = 0.03688  Rпр18 = 0.03688  Rпр19 = 0.03693  Rпр20 = 0.03689

Rпр21 = 0.03689 Rпр22= 0.03689 Rпр23 = 0.03689

В дальнейших расчетах зададимся Rпр = Rпр1-Rпр18 = 36 мм.

Определяют наведенный перегрев для микросхем

                                          ( Qэi * K0 (m*rji) / K0 (m*Ri) )

                        Qэфji =                                                                        ,          

                                         аi * ( 1 + ( ci + 1 / ai ) * ( bi + di ) )

            где       Qэфji - тепловое влияние i-той микросхемы на данную (j-тую),

                        rji - расстояние между центрами i-той микросхемы и данной,

                        ai, bi, ci, di - обозначения, принятые для упрощения формы записи,

                        ai = ( ( Каi - 4 ) * Ö Н2 / 105 + 4 ) * ( Sэi - Sэоi ) ,  

                        bi = ( 4.5 * Ö Н2 / 105 + 4 ) * p * Ri*Ri,

                        сi = dз / ( lз * p * Ri * Ri ),

                        di = 2* p * Ri * l1 * dп * m * ( К1 (m*Ri) / К0 (m*Ri) ),

                        Qэi, Ri, Каi, Sэi, Sэоi  - параметры i-той микросхемы.

При расчетах необходимо учесть влияние только тех микросхем, центры которых отстоят от центра данной не далее Rпр.

Произведя расчеты получим Qэф , К–

Qэф1 = 0.02444 Qэф2 =0.01262 Qэф3 = 1.30447 Qэф4 = 0.92994 Qэф5 = 1.27076

Qэф6 = 1.07639 Qэф7 = 1.16395 Qэф8 = 0.93818 Qэф9 = 3.53786 Qэф10 = 0.48943

Qэф11 = 0.63164 Qэф12 = 1.06709 Qэф13 =,1.26717 Qэф14 =1.07594 Qэф15=2.74241

Qэф16=0.50932 Qэф17=0.48049 Qэф18=1.35534 Qэф19=2.35717 Qэф20 =1.37697

Qэф21=2.60099 Qэф21= 2.30956 Qэф21=1.42029

Определяют перегрев корпуса микросхемы относительно базовой температуры -  Qэ -

                        Qэ = Qв + Qэс + Qэф,

            Для каждой микросхемы получим - Qэ , К -

Qэ1 = 4.34575   Qэ2 = 4.33394   Qэ3 = 5.62579  Qэ4 = 17.87538  Qэ5 = 18.21619

Qэ6 = 18.05471  Qэ7 = 18.10938  Qэ8 = 17.88361   Qэ9 = 9.31290   Qэ10 = 6.26447  

Qэ11 = 8.87874   Qэ12 = 9.30365   Qэ13 = 8.25538   Qэ14 = 8.06415   Qэ15 = 9.73062 

Qэ16 = 12.76610  Qэ17 = 12.73727  Qэ18 = 13.61212  Qэ19 = 13.34293  Qэ20 = 14.91460 

Qэ21 = 16.13862  Qэ22 = 15.84719  Qэ23 = 14.95791

Определяют температуру корпуса микросхемы - tэ -

                        tэ = to + Qэ ,

            Для каждой микросхемы получим - tэ , К -

tэ1 = 297.34575 tэ2 = 297.33394 tэ3 = 298.62579 tэ4 = 310.87538 tэ5 = 311.21619

tэ6 = 311.05471 tэ7 = 311.10938 tэ8 = 310.88361 tэ9 = 302.31290 tэ10 = 299.26447

tэ11 = 301.87874 tэ12 = 302.30365 tэ13 = 301.25538 tэ14 = 301.06415 tэ15 = 302.73062

tэ16 = 305.76610 tэ17 = 305.73727 tэ18 = 306.61212 tэ19 = 306.34293 tэ20 = 307.91460

tэ21 = 309.13862 tэ22 = 308.84719 tэ23 = 307.95791

Определяют перегрев воздуха для микросхемы относительно базовой температуры  - Qвэ -

                        Qвэ = Qэ - Qэс,

            Для каждой микросхемы получим - Qвэ , К -

Qвэ1 = 4.30879 Qвэ2 = 4.15220 Qвэ3 = 5.14290 Qвэ4 = 5.36025 Qвэ5 = 5.39936  

Qвэ6 = 5.20498   Qвэ7 = 5.29254 Qвэ8 = 5.06677   Qвэ9 = 7.66646   Qвэ10 = 4.61803  

Qвэ11 = 4.76024   Qвэ12 = 5.19569   Qвэ13 =5.39577   Qвэ14=5.20454   Qвэ15 =6.87100

 Qвэ16 =4.63792   Qвэ17 =4.60909   Qвэ18 =5.48394   Qвэ19 =6.48577   Qвэ20 =5.50557  

Qвэ21 =6.72959   Qвэ22 =6.43816   Qвэ23 =5.54888

Определяют температуру воздуха для микросхемы - tвэ -

                        tвэ = to + Qвэ ,

            Для каждой микросхемы получим - tэ , К -

tвэ1 = 297.15303 tвэ2 = 297.14122 tвэ3 = 298.43307 tвэ4 = 298.05854 tвэ5 = 298.39936

tвэ6 = 298.20498 tвэ7 = 298.29254 tвэ8 = 298.06677 tвэ9 = 300.66646 tвэ10 = 297.61803

tвэ11 = 297.76024 tвэ12 = 298.19569 tвэ13 = 298.39577 tвэ14 = 298.20454 tвэ15 = 299.87100

tвэ16 = 297.63792 tвэ17 = 297.60909 tвэ18 = 298.48394 tвэ19 = 299.48577 tвэ20 = 298.50557

tвэ21 = 299.72959 tвэ22 = 299.43816 tвэ23 = 298.54888

Рабочий диапазон температур микросхем: . Согласно технического задания контроллер предназначен для использования в качестве переносного оборудования при температуре . Температура корпуса микросхемы (согласно расчета) будет составлять , что входит в рабочий диапазон эксплуатации элементов. Принудительное охлаждение не требуется, согласно с графиком рекомендации выбора способа охлаждения.[ 3, Стр. 164 ]

Литература

1.    Электронные вычислительные машины. Справочник. Под ред. С.А. Майорова, М.: Сов. радио, 1975

2.    A.Я.Куземин «конструирование и микроминиатюризация электронно вычислительной аппаратуры». М:Радио и связь. 1985.

3.    Технология и автоматизация производства РЭА. Под ред. А.П. Достанко, М.: Радио и связь, 1989

4.    Разработка и оформление конструкторской документации РЭА. Справочник. Под ред. Э.Т. Романычевой, М.: Радио и связь, 1984

5.    Аппаратура локальных сетей. Под ред. Ю.В. Новикова, М.: Издательство "ЭКОМ", 1998

6.    Справочник разработчика и конструктора РЭА. Справочник. Под ред. М.Ю.Масленникова, М.: Издательство "Прибор", 1993

7.    В.В. Шерстнев. «Конструирование и микроминитюризация  ЭВМ», М.: Радио и связь, 1984

8.    А.Я. Савельев, В.А. Овчинников. «Конструирование ЭВМ и систем», М.: Высшая школа, 1989

9.    В.В. Павловский, В.И. Васильев, Т.Н. Гутман. «Проектирование технологических процессов изготовления РЭА», Пособие по курсовому проектированию: Учеб. пособие для вузов, М.: Радио и связь, 1982