Реферат: Разработка для контроля и определения типа логических интегральных микросхем методом сигнатурного анализа
· Газовые
огнетушители, применяются для тушения жидких и твердых веществ, а также
электроустановок, находящихся под напряжением.
· В производственных помещениях ВЦ применяются главным
образом углекислотные огнетушители, достоинством которых является
высокая эффективность тушения пожара, сохранность электронного оборудования,
диэлектрические свойства углекислого газа, что позволяет использовать эти
огнетушители даже в том случае, когда не удается обесточить электроустановку
сразу.
Для обнаружения начальной стадии загорания и
оповещения службы пожарной охраны используют системы автоматической пожарной
сигнализации (АПС). Кроме того, они могут самостоятельно приводить в действие
установки пожаротушения, когда пожар еще не достиг больших размеров. Системы
АПС состоят из пожарных извещателей, линий связи и приемных пультов (станций).
Эффективность применения систем АПС определяется
правильным выбором типа извещателей и мест их установки. При выборе пожарных
извещателей необходимо учитывать конкретные условия их эксплуатации:
особенности помещения и воздушной среды, наличие пожарных материалов, характер
возможного горения, специфику технологического процесса и т.п.
В соответствии с “Типовыми правилами пожарной
безопасности для промышленных предприятий”, залы ЭВМ, помещения для внешних
запоминающих устройств, подготовки данных, сервисной аппаратуры, архивов,
копировально-множительного оборудования и т.п. необходимо оборудовать дымовыми
пожарными извещателями. В этих помещениях в начале пожара при горении различных
пластмассовых, изоляционных материалов и бумажных изделий выделяется
значительное количество дыма и мало теплоты.
В других помещениях ВЦ, в том числе в машинных залах
дизель-генераторов и лифтов, трансформаторных и кабельных каналах, воздуховодах
допускается применение тепловых пожарных извещателей.
Объекты ВЦ, кроме АПС, необходимо оборудовать
установками стационарного автоматического пожаротушения. Наиболее целесообразно
применять в ВЦ установки газового тушения пожара, действие которых основано на
быстром заполнении помещения огнетушащим газовым веществом с резким снижением
содержания в воздухе кислорода.
Пожарам в ВЦ должно уделяться особое внимание, так как
пожары в ВЦ сопряжены с опасностью для человеческой жизни и большими
материальными потерями.
11. Заключение
11.1 Краткая
информация о результатах разработки, выполненной при создании аппаратных средств
и ПО.
Целью данной работы являлась разработка устройства,
подключаемого к персональному компьютеру, предназначенного для контроля и
определения типа интегральных логических микросхем методом сигнатурного
анализа. В ходе дипломного проектирования была разработана структурная схема
устройства. После выбора элементной базы результатом проделанной работы явилась
разработка принципиальной схемы проектируемого устройства;
разработка алгоритмов и выбранные программные средства позволили создать
подпрограммы тестирования и определения типа микросхем на языке Ассемблер. В
экономической части диплома была рассчитана себестоимость и цена данного
устройства.
12. Литература
1)
В.С.Гутников “Интегральная
электроника в измерительных устройствах”, Л.:Энргоатомиздат, 1988
2)
А.Л.Булычев, В.И.Галкин
“Аналоговые интегральные схемы”, Мн.: Беларусь, 1994
3)
М.И.Богданович, И.Н.Грель
“Цифровые интегральные микросхемы”: справочник, Mн.: Беларусь,
1991
4)
В.Л.Шило “Популярные цифровые
микросхемы”: справочник, М.: Радио и связь, 1987
5)
Р.Джордейн “Справочник
программиста персональных компьютеров типа IBM PC XT и AT”:
пер с англ. М: Финансы и статистика, 1992
6)
С.Т.Усатенко, Т.К,Каченюк,
М.В.Терехова. “Выполнение электрических схем по ЕСКД”: справочник, М.: Издательство
стандартов, 1989. - 325| с.
7)
Д.В.Стефанков “Справочник
программиста и пользователя”. - М:“Кварта”, 1993.- 128с.
8)
Под ред. М.Дадашова
“Проектирование пользовательского интерфейса на персональных компьютерах.
Стандарт фирмы IBM.” -
M: фирма “ЛЕВ”, 1992. - 186с.
9)
Коутс Р., Влейминк И. “Интерфейс
Человек-Компьютер”: пер. с англ. - M.: Мир, 1990. -
501с.
10)
П.Нортон, Д.Соухэ “Язык Ассемблера для IBM PC”: Пер.
с англ., - M.: Издательство “Компьютер”, 1993г. - 352с.
11)
Каган Б.М., Мкртумян И.Б. “Основы эксплуатации ЭВМ”: Учеб. пособие
для вузов/ Под ред. Б.М.Кагана. - М.: Энергоатомиздат,
1983.-376с., ил.
13. Приложения
1) Перечень элементов к принципиальным схемам, описанным
в разделе 5.
Поз. обоз-начение |
Наименование |
Кол |
Примечание |
|
Диоды и
стабилитроны
|
|
|
VD1..VD64 |
КД522А |
64 |
|
VD65 |
КС818Г |
1 |
|
VD66 |
Д814А |
1 |
|
VD67 |
КС147А |
1 |
|
VD68 |
КС818Г |
1 |
|
VD69..
VD76
|
КД202В |
8 |
|
VD77 |
КС168А |
1 |
|
HL1 |
АЛ307Б |
1 |
|
|
Конденсаторы
|
|
|
C1, C2 |
К50-16 - 16в-10мкф |
2 |
|
C3 |
КМ-3б-Н30 - 0.1мкф ±20% |
1 |
|
C4 |
К50-16 - 16в-100мкф |
1 |
|
C5, C6 |
К50-6 - 16в-2000мкф |
2 |
|
C7, C8 |
К50-16 - 16в-100мкф |
2 |
|
|
Микросхемы
аналоговые ГОСТ 18682-83
|
|
|
DA1 |
К142ЕН1А |
1 |
|
DA2 |
К142ЕН5А |
1 |
|
DA3, DA4 |
К572ПА1А |
2 |
|
DA5 |
К554СА3А |
1 |
|
DA6 |
К140УД6 |
1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ППИ СПГТУ 2201.97.01 ПЭ1 |
Изм |
Лист |
N докум. |
Подп. |
Дата |
|
Разраб. |
|
|
|
|
Лит. |
Лист |
Листов |
|
Пров. |
|
|
|
Сигнатурный анализатор |
|
|
|
1 |
3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
N контр. |
|
|
|
Перечень элементов |
|
|
Утв. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Поз. обоз-начение |
Наименование |
Кол |
Примечание |
|
Микросхемы
цифровые ГОСТ 17021-75
|
|
|
DD1 |
К555ИД7 |
1 |
|
DD2..DD8 |
К555ИР27 |
7 |
|
DD9, DD10 |
К555ИД7 |
2 |
|
DD11 |
К155ЛП4 |
1 |
|
DD12 |
К561ТМ2 |
1 |
|
DD13..
DD16
|
К555КП11 |
4 |
|
|
Переключатели
|
|
|
SA1 |
ПКН-41 |
1 |
|
|
Предохранители
|
|
|
FU1 |
0.5А |
1 |
|
|
Разъемы
|
|
|
X3 |
Панель SLC-32, 32pin |
1 |
|
LPT-порт |
DB25-M, 25pin |
1 |
|
|
Резисторы
|
|
|
R1..R32 |
МЛТ-0.125 - 100К ±10% |
32 |
|
R33..R64 |
МЛТ-0.125 - 27К ±10% |
32 |
|
R65..R96 |
МЛТ-0.125 - 4.3К ±10% |
32 |
|
R97..R128 |
МЛТ-0.125 - 100К ±10% |
32 |
|
R129..R160 |
МЛТ-0.125 - 10К ±10% |
32 |
|
R161 |
МЛТ-0.125 - 390 ±10% |
1 |
|
R162 |
МЛТ-0.125 - 270 ±10% |
1 |
|
R163, R164 |
МЛТ-0.125 - 1К ±10% |
2 |
|
R165, R166 |
МЛТ-0.125 - 360К ±10% |
2 |
|
R167 |
МЛТ-0.125 - 10К ±10% |
1 |
|
|
|
|
|
|
|
Лист |
|
|
|
|
|
ППИ СПГТУ 2201.97.01 ПЭ1 |
2 |
Изм |
Лист |
N докум. |
Подп. |
Дата |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Поз. обоз-начение |
Наименование |
Кол |
Примечание |
R168 |
МЛТ-0.125 - 100К ±10% |
1 |
|
R169, R170 |
МЛТ-0.125 - 10К ±10% |
2 |
|
R171 |
C5-16-0.125 - 0.1 ±1% |
1 |
|
R172..R180 |
МЛТ-0.125 - 430 ±10% |
9 |
|
R181..R194 |
МЛТ-0.125 - 10К ±10% |
14 |
|
R195 |
МЛТ-0.125 - 100К
±10% |
1 |
|
R196 |
МЛТ-0.125 - 910 ±10% |
1 |
|
R197 |
МЛТ-0.125 - 1К ±10% |
1 |
|
R198 |
СП5-3ВА-0.5 - 4.7К ±10% |
1 |
|
R199 |
МЛТ-0.125 - 390 ±10% |
1 |
|
R200 |
МЛТ-0.125 - 10К ±10% |
1 |
|
|
Транзисторы
|
|
|
VT1..
VT32
|
КП303 |
32 |
|
VT33..
VT64
|
КП301 |
32 |
|
VT65..
VT97
|
КТ315Б |
33 |
|
VT98 |
КТ815Б |
1 |
|
VT99..
VT104
|
КТ814Б |
6 |
|
VT105..
VT107
|
КТ815Б |
3 |
|
VT108..
VT111
|
КТ361Б |
4 |
|
VT112 |
КТ315Б |
1 |
|
VT113 |
КТ361Б |
1 |
|
VT114 |
КТ815Б |
1 |
|
|
Трансформаторы
|
|
|
T1 |
ТПП207-127/220-50 |
1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Лист |
|
|
|
|
|
ППИ СПГТУ 2201.97.01 ПЭ1 |
3 |
Изм |
Лист |
N докум. |
Подп. |
Дата |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2) Основные параметры тестируемых микросхем.
а) ТТЛ микросхемы [3,4]
(при Uпит.=5в):
Параметр |
К155 |
К555 |
К531 |
КР1531 |
U1вх. мин.,
В
|
2 |
2 |
2 |
2 |
U0вх. макс., В
|
0.8 |
0.8 |
0.8 |
0.8 |
U0вых. макс., В
|
0.4 |
0.5 |
0.5 |
0.5 |
I0вых. макс., мА
|
16 |
8 |
20 |
|
U1вых. мин., В
|
2.4 |
2.7 |
2.7 |
2.7 |
I1вых., макс., мА
|
-0.8 |
-0.4 |
-1 |
|
I1вых. макс. с ОК, мкА
|
250 |
100 |
250 |
|
I1вых. макс. сост. Z, мкА
|
40 |
20 |
50 |
|
I0вых. макс. сост. Z, мкА
|
-40 |
-20 |
-50 |
|
I1вх. макс., мкА
|
40 |
20 |
50 |
20 |
I0вх. макс., мА
|
-1.6 |
-0.4 |
-2.0 |
-0.6 |
Iк.з.
макс., мА (U0вых=0)
|
-(18¸55) |
-100 |
-100 |
-(60¸150) |
tзд. Р., нс
|
9 |
9.5 |
3 |
3 |
Rн, кОм
|
0.4 |
2 |
0.28 |
0.28 |
Pпот., мВт
|
10 |
2 |
19 |
4 |
б) КМОП микросхемы [3,4]
(при Uпит.=10в):
Параметр |
К176 |
К561 |
КР1561 |
U1вх. мин.,
В
|
7 |
7 |
7 |
U0вх. макс., В
|
3 |
3 |
3 |
Iвх.
макс., мкА
|
0.1 |
0.2 |
0.3 |
U0вых. макс., В
|
0.3 |
2.9 |
1 |
I0вых. макс., мА
|
|
0.3 |
1.1 |
U1вых. мин., В
|
8.2 |
7.2 |
9 |
I1вых. макс., мА
|
|
0.3 |
-1.1 |
tзд. Р., нс
|
600 |
620 |
190 |
3) Описание и распайка LPT-порта (нормальный режим) [7].
Порт |
Бит |
Контакт разъема |
Описание |
378H |
0
1
2
3
4
5
6
7
|
2
3
4
5
6
7
8
9
|
используется для записи
-“”-
-“”-
-“”-
-“”-
-“”-
-“”-
-“”-
|
379H |
0-2
3
4
5
6
7
|
-
15
13
12
10
11
|
не используются
используется для чтения
-“”-
-“”-
-“”-
-“”-
|
37AH |
0
1
2
3
4-7
|
1
14
16
17
-
|
используется для записи
-“”-
-“”-
-“”-
не используются
|
4) Подпрограмма инициализации устройства.
INIT PROC NEAR ; начало
подпрограммы инициализации
push ax ; Запоминаем значения
регистров ax
и dx
push dx
mov dx, 378h
mov al, 7Fh
out dx, al ;
7FHÞ378H
mov dx, 37AH
mov al, 7
out dx, al ;
07HÞ37AH
mov al, 0Fh
out dx, al ;
0FHÞ37AH
mov dx, 378h
mov al, 0
out dx, al ;
00HÞ378H
mov dx, 37AH
mov al, 5
out dx, al ;
05HÞ37AH
mov al, 0Dh
out dx, al ;
0DHÞ37AH
mov al, 6
out dx, al ;
06HÞ37AH
mov al, 0Eh
out dx, al ;
0EHÞ37AH
pop dx ; Восстанавливаем значения
регистров
pop ax ; dx и ax
INIT ENDP ;
конец
подпрограммы инициализации
5) Подпрограмма тестирования микросхемы.
b_data
db 02h ; Данные по коммутации
db 05h ; Макс. ток
dw 4 ; Число циклов тестирования
; Далее идут 32 байта данных:
dd 00000000000000000000000000000000b ; запись
dd 00000000010010010100100000000000b ; сверка
dd 00000000001001000001001000000000b ; запись
dd 00000000010010010100100000000000b ; сверка
dd 00000000000100100010010000000000b ; запись
dd 00000000010010010100100000000000b ; сверка
dd 00000000001101100011011000000000b ; запись
dd 00000000010000000000000000000000b ; сверка
TESTING
PROC NEAR ; начало подпрограммы
; тестирования
push bx ; сохраняем регистры в стеке
push cx
push dx
mov bx, offset cs:b_data ; регистр BX - указатель
; на данные
mov al, cs:[bx] ;
загрузка в AL данных по
; коммутации
mov ah, 7 ; выбор регистра коммутации
(DD6)
call write_r ;
запись AL в регистр коммутации
and al, 01000000B ; выделяем 6-й бит
; (тип микросхемы)
jnz kmop
mov al, 142 ; напряжение питания - +5в,
; если ТТЛ
jmp end_u
kmop:
mov al, 255 ; напряжение питания - +9в,
; если КМОП
end_u:
mov ah, 5 ; выбор регистра управления
; напряжением (DD7)
call write_r ; запись AL в регистр управления
; напряжением
inc bx ; ставим указатель на макс.
ток
mov al, cs:[bx] ;
загрузка в AL данных по току
add al, 7 ; коррекция
данных по току на 7мА
mov al, 6 ; выбор регистра управления
током
; (DD8)
call write_r ;
запись AL в регистр управления
; током
inc bx ; ставим указатель на число
; циклов
mov cx, cs:[bx] ;
загружаем число циклов в
; регистр CX
inc bx
cycle:
mov dl,0 ; внешний цикл записи (по
CX)
wr1:
mov al, cs:[bx] ;
внутренний цикл записи
; в 4 регистра (DD2-DD5)
call write_r ;
по регистру DL
inc bx
inc dl
cmp dl, 4
jnz wr1
mov dl,0
rd1:
mov ah, dl ; внутренний цикл чтения и
; сравнения данных, считанных из
call read_r ; 4-х мультиплексоров
(DD13-DD16)
mov ah, cs:[bx] ;
и указателя [BX];по
регистру DL
cmp al, ah
jnz error
inc bx
inc dl
cmp dl, 4
jnz rd1
loop cycle
good:
mov al, 0 ; выход из п/п с AX=0 в
случае,
; если все OK
jmp exit
error:
mov al, 0FFH ;
выход из п/п с AX=0FFH в случае
; ошибки
exit:
pop dx ; восстанавливаем регистры
при
; выходе
pop cx
pop bx
TESTING
ENDP
WRITE_R
PROC NEAR
;
процедура записи значения в регистры DD2-DD8
;
Входные параметры: AL - записываемое значение
;
AH - номер регистра
;
(0-DD2, 1-DD3, 2-DD4, 3-DD5, 5-DD7, 6-DD8, 7-DD6)
push ax ;
сохраняем используемые регистры
; в стеке
push dx
mov dx, 378H
not
al ; инвертируем
значение
out dx, al
mov dx, 37AH
mov al, ah
out dx, al
or al, 00001000b ; устанавливаем 3-й бит для
; записи в порт 37AH
out dx, al ; запись данных в регистр
pop dx ; восстанавливаем значения
; регистров из стека
pop ax
WRITE_R
ENDP
READ_R
PROC NEAR
;
процедура чтения данных из мультиплексоров DD13-DD16
;
Входные параметры: AH - номер мультиплексора
;
(0-DD13, 1-DD14, 2-DD15, 3-DD16)
;
Выходные параметры: AL - считанное значение
push cx ; сохраняем используемые
регистры
; в стеке
push dx
mov dx, 37AH
mov al, ah
out dx, al ;
выбираем мультиплексор записью
; AL в 37AH
mov al, 0 ; записываем 0 в регистр
378H для
; выбора для чтения
mov dx, 378H ;
"младшей" половины
; мультиплексора
out dx, al
mov dx, 379H
in al, dx ; считываем данные
"младшей"
; половины мультиплексора
mov ah, al ; сохраняем их в AH
mov al, 1 ; записываем 0 в регистр
378H для
; выбора для чтения "старшей"
mov dx, 378H ;
половины мультиплексора
out dx, al
mov dx, 379H
in al, dx ; считываем данные
"старшей"
; половины мультиплексора
;
далее производим сборку считанных "половинок" из
;
мультиплексоров по 4-е байта в 8 байт данных:
mov cl, 4
ror ah, cl ; сдвигаем данные в AH
; из 4-7 в 0-3 биты
and ah, 00001111b ; сбрасываем 4-7 биты в AH
and al, 11110000b ; сбрасываем 0-3 биты в AL
or al, ah ; логически суммируем AL и
AH
not
al ; инвертируем
AL
pop dx ; восстанавливаем значения
; регистров из стека
pop cx
READ_R
ENDP
|