Реферат: Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин
Реферат: Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин
Содержание
Стр.
1. Введение 2
2. Подложки интегральных
микросхем и их назначение 3
2.1. Назначение
подложек
3
2.2. Кремний
- основной материал полупроводникового производства 4
3. Виды
загрязнений поверхности подложек и пластин 5
3.1. Возникновение
загрязнений 5
3.2. Источники
загрязнений
6
3.3. Виды
загрязнений
6
4. Методы
удаления загрязнений 8
4.1. Классификация
методов очистки пластин и подложек 8
4.2. Способы
жидкостной обработки пластин и подложек 9
4.2.1. Обезжиривание
9
4.2.2. Травление
10
4.2.3. Промывание
пластин и подложек 13
4.2.4. Интенсификация
процессов очистки 13
4.3. Способы
сухой очистки пластин и подложек 15
4.3.1. Термообработка
15
4.3.2. Газовое
травление
16
4.3.3. Ионное
травление 17
4.3.4. Плазмохимическое
травление
17
4.4. Типовые
процессы очистки пластин и подложек 19
5. Заключение
20
6. Список
литературы
20
1. Введение
Современный этап развития радиоэлектроники
характеризуется широким применением интегральных микросхем (ИМС) во всех
радиотехнических системах и аппаратуре. Это связано со значительным усложнением
требований и задач, решаемых радиоэлектронной аппаратурой, что привело к росту
числа элементов в ней. За каждое десятилетие число элементов в аппаратуре
увеличивается в 5-20 раз. Разрабатываемые сейчас сложные комплексы аппаратуры и
системы содержат миллионы и десятки миллионов элементов. В этих условиях
исключительно важное значение приобретают проблемы повышения надежности
аппаратуры и ее элементов, микроминиатюризации электро-радиокомпонентов и
комплексной миниатюризации аппаратуры. Все эти проблемы успешно решает
микроэлектроника.
Интегральная и функциональная микроэлектроника
являются фундаментальной базой развития всех современных систем
радиоэлектронной аппаратуры. Они позволяют создавать новый вид аппаратуры -
интегральные радиоэлектронные устройства.
Микроэлектроника - одно из магистральных направлений в
радиоэлектронике, и уровень ее развития в значительной степени определяет
уровень научно-технического прогресса страны.
Применяют два основных метода изготовления ИМС -
полупроводниковый и пленочный.
Первый метод заключается в локальной обработке
микроучастков полупроводникового кристалла и придании им свойств, присущих
функциям отдельных элементов и их соединений (полупроводниковые интегральные
микросхемы).
Второй метод основан на использовании послойного
нанесения тонких пленок различных материалов на общее основание (подложку) при
одновременном формировании на них схемных элементов и их соединений (пленочные
интегральные микросхемы).
В обоих случаях важное значение имеет качество
обработки поверхности полупроводниковых пластин и подложек.
* Подложка - заготовка, предназначенная для нанесения
на нее элементов гибридных и пленочных ИМС, межэлементных и (или)
межкомпонентных соединений, а также контактных площадок.
2. Подложки
интегральных микросхем и их назначение.
Подложки в технологии изготовления и конструировании
пленочных и гибридных ИМС в микросборках играют очень важную роль. Подложки
являются основанием для группового формирования на них ИМС, главным элементом
конструкции ИМС и микросборок, выполняющим роль механической опоры,
обеспечивают теплоотвод и электрическую изоляцию элементов.
2.1. Назначение подложек.
В технике ИМС подложки выполняют две функции:
а) являются основанием, на поверхности или в
приповерхностном слое которого по заданному топологическому рисунку формируют
структуры ИМС;
б) являются элементом конструкции, обеспечивающим
практическое применение ИМС в корпусном или бескорпусном исполнении.
Подложки классифицируют как по структурным признакам,
так и по назначению. По структурным признакам подложки подразделяют на
аморфные, поликристаллические и монокристалличёские, а по назначению - на
подложки для полупроводниковых, пленочных, гибридных ИМС и микросборок.
Для изготовления полупроводниковых ИМС применяют в
основном полупроводниковые монокристаллические подложки (полупроводниковые
пластины), а для пленочных и гибридных ИМС - аморфные поликристаллические
(диэлектрические) подложки.
* Полупроводниковая пластина - заготовка из
полупроводникового материала, используемая для изготовления полупроводниковых
ИМС.
В отдельных случаях при изготовлении полупроводниковых
ИМС используют диэлектрические подложки, а при изготовлении гибридных ИМС и
микросборок - металлические подложки. К конструкции и материалу подложек
предъявляется ряд требований, вытекающих из необходимости воспроизведения и
обеспечения заданных электрических параметров элементов и ИМС, их надежности в
самых различных условиях эксплуатации, и обусловленных также особенностями
технологии изготовления и сборки ИМС.
Монокристаллические пластины из разных
полупроводниковых материалов составляют основу для изготовления
полупроводниковых ИМС различного конструктивно-технологического исполнения и
функционального назначения.
Пригодность полупроводникового материала для
использования в интегральных микросхемах определяется в основном параметрами,
зависящими от его физических свойств: оптических, термических,
термоэлектрических, зонной структуры, ширины запрещенной зоны, положения в ней
примесных уровней и др.
Очень важны электрические свойства полупроводникового
материала: тип электропроводности, концентрация носителей заряда, их
подвижность, удельное сопротивление, время жизни неосновных носителей заряда и
их диффузионная длина - существенно зависящие от технологии получения
полупроводника.
2.2. Кремний - основной материал полупроводникового
производства.
В настоящее время из всех полупроводниковых материалов
наибольшее применение для изготовления полупроводниковых ИМС получил кремний.
Кремний - элемент IV группы Периодической системы
элементов Д.И.Менделеева, один из самых распространенных элементов на Земле,
содержание его в земной коре составляет 29,5%. В природе кремний встречается
только в соединениях в виде окисла и в солях кремниевых кислот. Чистота
природной окиси кремния в виде монокристаллов кварца иногда достигает 99,99%; в
ряде месторождений чистота песка составляет 99,8-99,9%.
Технический кремний, получаемый восстановлением
двуокиси кремния SiO2 в электрической дуге между графитовыми электродами,
содержит около 1% примесей и как полупроводник не может быть использован; он
является исходным сырьем для получения кремния полупроводниковой чистоты,
примесей в котором должно быть менее .
Разработана промышленная технология, позволяющая
получать особо чистый кремний с содержанием примесей
Более широкое применение кремния обусловлено
преимуществом его физических и технологических свойств по сравнению с другими
полупроводниками (в частности, с германием).
Для изготовления полупроводниковых приборов и ИМС
используют выпускаемые промышленностью пластины кремния четырех |видов:
1)
Однослойные p- и n- типов;
2)
Двухслойные р- или n- типа с
эпитаксиальным n-слоем, покрытые оксидом либо нитридом кремния;
3)
Двухслойные р-типа с эпитаксиальным
n- слоем и скрытым n+- слоем;
4)
Гетероэпитаксиальные структуры
типа кремний на сапфире.
Однослойные пластины кремния р- и n-типов получают
резкой слитков монокристаллического кремния диаметром 50-150 мм на пластины
толщиной 0,25-0,4 мм. Промышленностью выпускаются слитки монокристаллического
кремния, которые в зависимости от типа электропроводности и значения удельного
сопротивления подразделяются на пять групп.
Подготовка пластин, получаемых из слитков
монокристаллического кремния, является одним из важнейших этапов производства
ИМС и включает в себя следующие операции: ориентацию слитков по
кристаллографическим осям, резку слитков на пластины, шлифование, полирование,
травление и очистку поверхностей от загрязнений различных типов, приобретённых
на предыдущих этапах обработки.
3. Виды загрязнений поверхности подложек и пластин.
3.1. Возникновение загрязнений.
Электрические характеристики ИМС и их надежность во
многом обусловливаются степенью совершенства кристаллической решетки и чистотой
обрабатываемой поверхности пластин и подложек. Поэтому обязательным условием
получения бездефектных полупроводниковых и пленочных структур является
отсутствие на поверхности пластин и подложек нарушенного слоя и каких-либо
загрязнений.
Как известно, нарушенный приповерхностный слой
полупроводниковых пластин является следствием их механической обработки.
Используемые при подготовке пластин методы шлифования, полирования и травления
позволяют удалить нарушенный слой (рис. 1).
Рис. 1.
Изменение толщины нарушенного слоя при механической
обработке монокристаллических полупроводниковых пластин:
1) после резки; 2) после шлифования; 3)после
полирования; 4) после травления.
Однако атомы материала пластины (подложки),
расположенные на ее поверхности, имеют намного больше ненасыщенных связей, чем
атомы в объеме. Этим объясняются высокие адсорбционные свойства и химическая
активность поверхности пластин.
В условиях производства ИМС пластины и подложки
соприкасаются с различными средами, и полностью защитить их от адсорбции
различного рода примесей невозможно. В то же время получить идеально чистую
поверхность (без посторонних примесей) тоже практически невозможно. Поэтому
применяемое в технике понятие «чистая поверхность» имеет относительный
характер. Технологически чистой считают поверхность, которая имеет концентрацию
примесей, не препятствующую воспроизводимому получению заданных значений и
стабильности параметров ИМС. Допустимая концентрация примесей на поверхности
пластин зависит от сложности ИМС и способа ее формирования, в худшем случае она
не должна превышать .
Для обеспечения эффективной очистки с целью получения технологически
чистой поверхности пластин (подложек) необходимо знать источник и вид
загрязнения, характер его поведения на поверхности, методы удаления.
3.2. Источники загрязнений.
Основными источниками загрязнений поверхности пластин
и подложек являются: абразивные и клеящие материалы, кремниевая пыль при
механической обработке; пыль в производственных помещениях; предметы, с
которыми соприкасаются пластины и подложки (оборудование, инструмент, оснастка,
технологическая тара); технологические среды; органические и неорганические
реагенты, вода; одежда и открытые участки тела операторов и др.
Загрязнение пластин и подложек практически возможно на
всех операциях технологического процесса изготовления кристаллов и сборки ИМС.
3.3. Виды загрязнений.
Возможные загрязнения на поверхности пластин и
подложек классифицируют, как правило, по их физико-химическим свойствам, так
как они определяют выбор методов удаления загрязнений. Наиболее
распространенными являются загрязнения следующих видов:
·
Физические загрязнения - пылинки,
ворсинки, абразивные материалы, силикаты, кремниевая пыль и другие посторонние
частицы, химически не связанные с поверхностью пластин и подложек.
·
Загрязнения, химически связанные с
поверхностью пластин и подложек - оксиды, нитриды и другие соединения.
·
Органические загрязнения -
неполярные жиры, масла, силиконы и другие неионные примеси.
·
Растворимые в воде полярные
загрязнения - соли, кислоты, остатки травителей, флюсы и пр.
·
Газы, адсорбированные поверхностью
пластин и подложек.
На поверхности пластин и подложек одновременно могут
присутствовать загрязнения различных видов. Типичные загрязнения и их
источники, встречающиеся в технологии полупроводниковых ИМС, приведены в
таблице 1.
Типичные загрязнения
полупроводниковых пластин и
их источники
Таблица 1.
Загрязнения |
Возможные источники |
Волокна
(нейлон, целлюлоза и т. д.) |
Одежда, ткани, бумажные изделия |
Силикаты |
Горные породы, песок, почва, зола, пепел |
Окислы
и окалина |
Продукты
окисления некоторых металлов |
Масла
и жиры |
Масла
от машинной обработки, отпечатки пальцев, жиры с открытых участков тела,
средства для волос, мази, лосьоны |
Силиконы |
Аэрозоли
для волос, кремы, лосьоны после бритья, лосьоны для рук, мыло |
Металлы |
Порошки и отходы машинной обработки и шлифовки;
изготовление металлических частей; частицы из металлических банок для
хранения и металлических контейнеров |
Ионные
примеси |
Продукты
дыхания, отпечатки пальцев (хлорид натрия); примеси из очищающих растворов,
содержащие ионные детергенты; некоторые флюсы; примеси от предварительной
химической операции, такой, как травление или металлизация |
Неионные
примеси |
Неионные
детергенты, органические материалы для обработки |
Растворимые
примеси |
Очищающие
растворители и растворы |
Наиболее трудно удаляются органические и химически
связанные с поверхностью загрязнения, а также загрязнения от абразивных
материалов, полярные газы и ионы, внедренные в приповерхностный слой пластин.
4. Методы удаления загрязнений.
4.1. Классификация методов очистки пластин и подложек.
Для удаления загрязнений используют различные методы,
на физических принципах которых разрабатывают процессы очистки. По механизму
протекания процессов все методы очистки классифицируют на физические и
химические, а по применяемым средствам - на жидкостные и сухие (рис.2).
В основу каждого способа очистки положен один из трех
методов удаления загрязнений с поверхности:
·
механическое удаление частиц
загрязнителя потоком жидкости или газа;
·
растворение в воде;
·
химическая реакция.
Рис. 2.
Классификация методов очистки пластин и подложек
К физическим методам удаления загрязнений относят
растворение, отжиг, обработку поверхности ускоренными до больших энергий ионами
инертных газов. Эти методы используют в основном для удаления загрязнений,
расположенных на поверхности. Для удаления загрязнений на поверхности и в
приповерхностном слое, в том числе тех, которые находятся в химической связи с
материалом пластины или подложки, используют химические методы удаления. Они
основаны на переводе путем химической реакции загрязнений в новые соединения,
которые затем легко удаляются (травление, обезжиривание).
* Очистка, при которой удаляется приповерхностный слой
пластины или подложки, называется травлением.
Жидкостная очистка предусматривает использование
водных и других растворов различных реактивов. Целый ряд органических жировых
загрязнений не растворяется в воде и препятствует смачиванию водой и
большинством растворов обрабатываемой поверхности (поверхность гидрофобная).
Для обеспечения равномерной очистки поверхность пластин и подложек переводят в
гидрофильное, т. е. хорошо смачиваемое водой, состояние.
* Процесс удаления жировых загрязнений, сопровождаемый
переводом поверхности из гидрофобного состояния в гидрофильное, называется
обезжириванием.
Сухая очистка основана на использовании отжига,
газового, ионного и плазмохимического травления. Эти способы исключают
применение дорогостоящих и опасных в работе жидких химических реактивов; они
более управляемы и легче поддаются автоматизации. Процессы сухой очистки
являются наиболее эффективными также при обработке локальных участков и
рельефной поверхности.
4.2. Способы жидкостной обработки пластин и подложек.
К способам жидкостной обработки поверхности пластин и
подложек относят физическое и химическое обезжиривание, химическое и
электрохимическое травление, промывание в воде.
Страницы: 1, 2
|